一、个人简介：

王少芝，女，1991年10月生，河北保定人，中共党员。2015年7月于燕山大学获得学士学位，专业为高分子材料与工程。2022年8月于中国科学院化学研究所获得博士学位，专业为有机化学。

二、主讲课程及研究方向：

主讲课程：无机合成；

研究方向：新型二维材料制备及性质研究。

三、代表性论文及专利：.

1. Organic covalent modification to improve thermoelectric properties. Nature Communications,2022,13,4401.

2. Thermal Rectifier and Thermal Transistor of 1T/2H MoS2 for Heat Flow Management. ACS Appl. Mater. Interfaces 2022, 14, 4434−4442.

3. Synthesis of a monolayer fullerene network. Nature, 2022, 606, 507-510.

4.Folded MoS2 bilayers with variable interfacial coupling revealed by Raman and Photoluminescence Spectroscopy. Optical Materials.2021,111,110641.

5. Monolayer single crystal two-dimensional quantum dots via ultrathin cutting and exfoliating. Sci. China Mater. 2020, 63, 1046.

6. Physical unclonable in-memory computing for simultaneous protecting private data and deep learning models. Nature Communications,2025,16,1031.

7. 一种在 CMOS 工艺后段嵌入 RRAM 的方法，202410302711.8。

8. 一种在 CMOS 工艺后段嵌入 RRAM 的工艺和方法，202410460569.X。

9. 一种在先进工艺制程后段嵌入 RRAM 的方法，202510131387.2。